Verwendung von Siliziumkarbidkomponenten für die Handhabung und Inspektion von Wafern

Siliziumcarbid (SiC) ist eine harte chemische Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die in rund 250 verschiedenen kristallinen Formen vorkommt. Das häufigste Polymorph ist "α"-SiC, das eine hexagonale Kristallstruktur hat. Neben einer sehr hohen Härte weist Siliziumkarbid mehrere Eigenschaften auf, die es zu einem begehrten Konstruktionswerkstoff machen.

Insbesondere ist es chemisch sehr inert und schmilzt bei keiner bekannten Temperatur: Stattdessen sublimiert es bei der sehr hohen Temperatur von 2,800 °C von einem Feststoff in ein Gas, was es für Lager und Ofenkomponenten äußerst nützlich macht.

Seit der ersten Herstellung Ende des 19th Jahrhundert wurde Siliziumkarbid für eine Vielzahl von Anwendungen angepasst. Es wird immer noch in großem Umfang als Schleifmittel verwendet, insbesondere in Bearbeitungsprozessen wie Schleifen und Sandstrahlen. Körner aus Siliziumkarbid können auch zusammengesintert werden, um unglaublich harte und widerstandsfähige Keramiken zu bilden, die typischerweise für strapazierfähige Anwendungen wie Autobremsen und kugelsichere Westen verwendet werden. Siliziumkarbid ist auch ein Halbleiter, was ihm eine Reihe von Anwendungen in der Leistungselektronik einbringt, insbesondere bei der Herstellung von Antriebssträngen für Elektrofahrzeuge (EV).

Anwendungen von Siliziumkarbid in der Halbleiterfertigung

Da die kritischen Abmessungen von Halbleitervorrichtungen weiter abnehmen, nimmt ihre Empfindlichkeit zu. Moderne Halbleiterherstellungsanlagen müssen darauf achten, Halbleiter in einer vollständig inerten Umgebung zu halten und sie vor jeder möglichen Form von Korrosion oder chemischem Angriff zu schützen.

Siliziumkarbid ist dank seiner extremen chemischen Inertheit ein ideales Material für Halbleiteranwendungen. Zum Beispiel Hexoloy® Siliziumkarbid von Saint-Gobain bietet eine extrem hohe chemische Reinheit (>98 %) ohne freies Silizium sowie eine hervorragende Oxidationsbeständigkeit selbst bei hohen Temperaturen. Dies macht es ideal für Anwendungen in der Handhabung und Inspektion von Wafern, bei denen die Beseitigung von Verunreinigungen und die Verhinderung unerwünschter chemischer Reaktionen von entscheidender Bedeutung sind.

Saint-Gobain Siliziumkarbid-Produkte für Halbleiteranwendungen

Hexoloy® SA SiC ist eine drucklos gesinterte Form aus Alpha-Siliciumcarbid mit extrem hoher Dichte (über 98 % des theoretischen Maximums). Es bietet eine sehr feine Kornstruktur (4-10 Mikron) und enthält null freies Silizium und ist außerdem sehr widerstandsfähig gegen Verschleiß durch Rotations- oder Gleitkräfte. Hexoloy® SA eignet sich ideal für Halbleiteranwendungen, einschließlich:

• Platten zum Schleifen und Polieren von Wafern

• Scheiben für Vakuumspannfutter

• Wafer-Klemmen

• Waferträger

• Reaktorrohre für die thermische Oxidation

Andere Hexoloy® Produkte mit Halbleiteranwendungen umfassen die elektrisch leitfähigen Hexoloy® SG für Sputtertargets und Hexoloy® SE für einseitig geschlossene (COE) Thermoelement-Schutzrohre.

Außerdem unsere silikonisierte SiC-Produktlinie Silit® nutzt das geringe Gewicht und die hohe Steifigkeit von Siliziumkarbid für absolute Präzision und hohe Geschwindigkeiten in der industriellen Messtechnik. Unser Silit® Träger setzen einen Hochleistungsmaßstab für Konstruktionsträger, die in Z-Achsen-, Brücken- und Luftlagerbühnen verwendet werden.

Saint-Gobain ist ein weltweit führender Hersteller von hochleistungsfähigen feuerfesten Materialien für alle Anwendungen. Neben unserer bestehenden Linie von Produkte aus Siliziumkarbidbieten wir unseren Kunden unser Know-how in Form einzigartiger und neuartiger Materiallösungen an, die auf die anspruchsvollsten Anwendungen zugeschnitten sind. Um herauszufinden, wie Saint-Gobain Ihre technische Anwendung unterstützen kann, setzen Sie sich noch heute mit uns in Verbindung, um die gemeinsame Entwicklung eines neuen Materials zu besprechen.