Matériau SiC Hexoloy® SA
le SiC Hexoloy® SA est une forme frittée sans pression de carbure de silicium alpha, avec une densité supérieure à 98% théorique. Il a une structure à grains très fins (4 - 10 microns) pour une excellente résistance à l'usure et ne contient pas de silicium libre, ce qui le rend très résistant chimiquement dans les environnements oxydants et réducteurs,
Micrographie de l'aspect typique de la porosite du carbure de silicium Hexoloy® SA sous microscope.
Propriétés des matériaux SiC Hexoloy® SA
| Propriété | Unités | Les valeurs typiques |
|---|---|---|
| Composition* | - | SiC |
| Taille d'un grain | microns | 4 - 10 |
| Densité | g / cm3 | 3.10 |
| Dureté (Knoop) ** | kg / mm2 | 2800 |
| Résistance à la flexion 4 pt @ RT *** | MPa x103 lb / po2 |
380 55 |
| Résistance à la flexion 3 pt @ RT *** | MPa x103 lb / po2 |
550 80 |
| Résistance à la compression @ RT | MPa x103 lb / po2 |
3900 560 |
| Module d'élasticité @ RT | GPa x106 lb / po2 |
410 59 |
| Module de Weibull (2 paramètres) | 8 | |
| Coefficient de Poisson | 0.14 | |
| Résistance à la fracture @ RT Double torsion et SENB |
MPa xm1/2 x103 lb / po2 x dans1/2 |
4.60 4.20 |
| Coefficient de dilatation thermique RT à 700 ° C |
x10-6 mm / mmK x10-6 po / po ° F |
4.02 2.20 |
| Température de service maximale. Air |
° C ° F |
1900 3450 |
| Chaleur spécifique moyenne @ RT | J / gmK | 0.67 |
| Conductivité thermique @ RT À 200 ° C À 400 ° C |
W / mK Btu / ft h ° F W / m ° K Btu / ft h ° F w / m ° K Btu / ft h ° F |
125.6 72.6 102.6 59.3 77.5 44.8 |
| Perméabilité @ RT à 1000 ° C | Imperméable aux gaz de plus de 31 MPa | |
| Résistivité électrique @ RT **** À 1000 ° C |
ohm-cm ohm-cm |
102 à 1011 0.01 - 0.2 |
| Émissivité | 0.9 | |
| * Code de composition: Si = silicium métal libre; C = graphite libre; SiC = carbure de silicium
** Knoop charge 0.1 kg *** Taille de la barre de test: 3 x 4 x 45 mm (0.118 "x 0.157" x 1.772 ") **** Dépend des dopants dans Hexoloy Sa SiC qui diminueront la résistivité électrique |
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